IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N04S6L020ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L006ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS-7 trench
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) -55 °C to +175 °C
Paket PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8-43
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) Tape and Reel (ATMA1)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
Pin Sayısı — 8
Polarity — Single N-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin