IAUC100N04S6N015ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N04S6N015ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N006ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC100N04S6N015ATMA1 | IAUCN04S7N006ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-6 40V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) | 100 A | — |
| Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) | 100 W | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (junction, typical) | -55 C to +175 C |
| Paket | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-43 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited floor life) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 175 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Junction Temperature Max | — | 175 C |
| Power Dissipation Max (Pd) | — | [DATA_NEEDED: Pd max] |
| Gate Charge Total (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (compliant) |