IAUC100N04S6N015ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC100N04S6N015ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N006ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUC100N04S6N015ATMA1 | IAUCN04S7N006ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-6 40V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) | 100 A | — |
| Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) | 100 W | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C (junction, typical) | -55 C to +175 C |
| מארז | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-43 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 (unlimited floor life) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 175 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Junction Temperature Max | — | 175 C |
| Power Dissipation Max (Pd) | — | [DATA_NEEDED: Pd max] |
| Gate Charge Total (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (compliant) |