IAUC100N10S5L040ATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N10S5L040ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N04S6N009ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC100N10S5L040ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOST 5 Power-Transistor (IAUC) OptiMOS 6 40V
Transistor Türü N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-State Resistance RDS(on) max 4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
Continuous Power Dissipation (Tc) 167 W —
Paket PG-TDSON-8-34 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (junction) —
MSL Moisture Sensitivity MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Avalanche Tested 100% production avalanche tested —
AOI Compatibility Feasible for automatic optical inspection —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
Pulsed Dræn Akımı — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
MSL Seviyesi — 1
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin