IAUC100N10S5L054ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC100N10S5L054ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L033ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC100N10S5L054ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 (IAUC automotive family) | Automotive OptiMOS 7 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) | [DATA_NEEDED: max V_GS value] | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 101 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 130 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 5.4 mΩ | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C (TJ) |
| Paket | PG-TDSON-8-34 (surface mount) | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |