IAUC100N10S5L054ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC100N10S5L054ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN08S7L033ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IAUC100N10S5L054ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 (IAUC automotive family) | Automotive OptiMOS 7 |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) | [DATA_NEEDED: max V_GS value] | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 101 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 130 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 5.4 mΩ | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C (TJ) |
| מארז | PG-TDSON-8-34 (surface mount) | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |