IAUC120N04S6L012ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N04S6L012ATMA1 tarafından Infineon ve IAUZN04S7L030ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 40V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 120 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 480 A —
On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS 1.2 mΩ (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC 115 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (junction) —
Paket PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad) PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant —
Delivery Form Tape & Reel —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel
RoHS Compliance — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin