IAUC120N06S5L032ATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N06S5L032ATMA1 tarafından Infineon ve IPD031N06L3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC120N06S5L032ATMA1 IPD031N06L3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 (60 V) —
Transistor Türü N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 120 A —
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) 3.2 mOhm —
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) 94 W —
Paket PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (T_j) -55°C to +175°C
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET (Metal Oxide)
AEC-Q101 Qualified Yes —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (Unlimited)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge Q_G [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 167 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.2 V
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Series — OptiMOS 3

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin