IAUC120N06S5N011ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N06S5N011ATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N04NM7VATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC120N06S5N011ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 OptiMOS 7 Power-Transistor
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V) —
Pulsed Drain Current (Idm) 310 A (Tj) —
On-Resistance Rds(on) max 1.1 mΩ at Vgs=10 V —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total value] —
Power Dissipation (Pd) 188 W (Tc=25°C) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (Tj) -55 °C to +175 °C (TJ)
Paket PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (source-down)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant Compliant (per Infineon product page)
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Technology — Trench MOSFET, silicon
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin