IAUC120N06S5N011ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUC120N06S5N011ATMA1 bằng Infineon và ISC011N04NM7VATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUC120N06S5N011ATMA1 - 60V 1.1mΩ OptiMOS-5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5N011ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUC120N06S5N011ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-5 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V) | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 310 A (Tj) | — |
| On-Resistance Rds(on) max | 1.1 mΩ at Vgs=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total value] | — |
| Power Dissipation (Pd) | 188 W (Tc=25°C) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C (Tj) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Hộp | PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS Compliance | Compliant | Compliant (per Infineon product page) |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Technology | — | Trench MOSFET, silicon |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |