IAUC28N08S5L230ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC28N08S5L230ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S7N021ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 - 80V 28A 23mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 ✓ AktifInfineon
IAUCN10S7N021ATMA1 - 100V N-Ch 2.1mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC28N08S5L230ATMA1 | IAUCN10S7N021ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS-5 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | 28 A | — |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | 23 mΩ (typ) | — |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) | 2.5 V | — |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | 38 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| Paket | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) | PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS-5 Power MOSFET | OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 175 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 2.1 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ | — | 3.2 V |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V | — | 105 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2.98 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 32 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 7.153 nF |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 217 W |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |