IAUC28N08S5L230ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC28N08S5L230ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN10S7N021ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-5 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 28 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 23 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) 2.5 V —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 38 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
מארז PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-5 Power MOSFET OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר