IAUC28N08S5L230ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC28N08S5L230ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN10S7N021ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC28N08S5L230ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-5 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 28 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 23 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) 2.5 V —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 38 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
العلبة PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-5 Power MOSFET OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر