IAUC41N06S5N102ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC41N06S5N102ATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N06NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC41N06S5N102ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 Power-Transistor | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 47 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 42 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.4 V (typical) | — |
| Total Gate Charge (QG) | 12.5 nC | — |
| Paket | PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction) | -55 C to +175 C |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Channel Polarity | N-Channel (single) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |