IAUC50N08S5L096ATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC50N08S5L096ATMA1 tarafından Infineon ve BSC265N10LSFGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC265N10LSFGATMA1 - 100V 40A N-Channel OptiMOS 2 MOSFET | Infineon
BSC265N10LSFGATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC50N08S5L096ATMA1 | BSC265N10LSFGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 50 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 200 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Power Dissipation (PD) | 60 W (Tc) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C | -55 C to +150 C (junction) |
| Paket | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 40 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 6.5 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 78 W |
| Technology | — | OptiMOS 2 (TrenchFET) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typical] |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Series | — | OptiMOS 2 |