IAUC50N08S5L096ATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUC50N08S5L096ATMA1 توسط Infineon و BSC265N10LSFGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUC50N08S5L096ATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 50 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A —
On-Resistance (RDS(on)) 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Power Dissipation (PD) 60 W (Tc) —
محدوده دمای کاری -55°C to +175°C -55 C to +150 C (junction)
بسته‌بندی PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
Technology — OptiMOS 2 (TrenchFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Avalanche Rated — Yes
Series — OptiMOS 2

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت