IAUC50N08S5N102ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC50N08S5N102ATMA1 tarafından Infineon ve IPB60R280P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC50N08S5N102ATMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $0,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 50 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 21 nC @ 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1394 pF @ 40 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 60 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Paket / Kas | PG-TDSON-8-33 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| Technology | — | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| Paket | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Pin Sayısı | — | 3 (2 + Tab) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |