IAUC50N08S5N102ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC50N08S5N102ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB60R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUC50N08S5N102ATMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $0.88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 50 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 21 nC @ 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1394 pF @ 40 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 60 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +175°C | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| پیکیج / کیس | PG-TDSON-8-33 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| Technology | — | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| پیکیج | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| پن کی تعداد | — | 3 (2 + Tab) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |