IAUC60N04S6L030HATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC60N04S6L030HATMA1 tarafından Infineon ve IAUC41N06S5N102ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 6 —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TJ 60 A —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 3.0 mOhm (typical) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 35 nC —
Output Capacitance (Coss) 2.128 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 596 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC 75 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per part number suffix) AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family)
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Part Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 47 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 42 W
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.4 V (typical)
Total Gate Charge (QG) — 12.5 nC
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Channel Polarity — N-Channel (single)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin