IAUC60N04S6L039ATMA1 vs IPG20N10S436AATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC60N04S6L039ATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N10S436AATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC60N04S6L039ATMA1 | IPG20N10S436AATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 6 (trench) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 60 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 240 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 3.9 milliohm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 42 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +175C | — |
| Paket | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (260 C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 43 W |
| Operating Mode | — | Enhancement Mode |
| Operating Temperature (TJ max) | — | +175 C |
| JESD-609 Code | — | e3 |
| Avalanche Tested | — | 100% |
| AOI Compatible | — | Yes (Wettable Flank) |
| Channel Type | — | N-Channel Normal Level |