IAUC60N04S6L039ATMA1 vs IPG20N10S436AATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IAUC60N04S6L039ATMA1 bằng Infineon và IPG20N10S436AATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 - Dual N-CH 100V 20A MOSFET Array | Infineon

IPG20N10S436AATMA1 - Dual N-CH 100V 20A MOSFET Array | Infineon

IPG20N10S436AATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IAUC60N04S6L039ATMA1 IPG20N10S436AATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 6 (trench) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 60 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 240 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.9 milliohm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P_D) 42 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C —
Hộp PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260 C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Configuration — Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 43 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Operating Temperature (TJ max) — +175 C
JESD-609 Code — e3
Avalanche Tested — 100%
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
Channel Type — N-Channel Normal Level

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá