IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUC100N04S6N015ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N006ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC100N04S6N015ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7N006ATMA1 | IAUC100N04S6N015ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 175 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | N-Channel Trench MOSFET |
| Paket | PG-TDSON-8-43 | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C (junction, typical) |
| Junction Temperature Max | 175 C | — |
| Power Dissipation Max (Pd) | [DATA_NEEDED: Pd max] | — |
| Gate Charge Total (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Lead-Free / RoHS | Yes (compliant) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited floor life) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-6 40V |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) | — | 100 A |
| Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) | — | 100 W |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |