IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUC100N04S6N015ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N006ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC100N04S6N015ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN04S7N006ATMA1 | IAUC100N04S6N015ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 175 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | N-Channel Trench MOSFET |
| پیکیج | PG-TDSON-8-43 | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C (junction, typical) |
| Junction Temperature Max | 175 C | — |
| Power Dissipation Max (Pd) | [DATA_NEEDED: Pd max] | — |
| Gate Charge Total (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Lead-Free / RoHS | Yes (compliant) | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited floor life) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-6 40V |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) | — | 100 A |
| Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) | — | 100 W |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |