IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUC100N04S6N015ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S7N006ATMA1 מאת Infineon ו IAUC100N04S6N015ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN04S7N006ATMA1 | IAUC100N04S6N015ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 175 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | N-Channel Trench MOSFET |
| מארז | PG-TDSON-8-43 | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C (junction, typical) |
| Junction Temperature Max | 175 C | — |
| Power Dissipation Max (Pd) | [DATA_NEEDED: Pd max] | — |
| Gate Charge Total (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Lead-Free / RoHS | Yes (compliant) | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited floor life) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-6 40V |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) | — | 100 A |
| Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) | — | 100 W |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |