IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N009ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N006ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (trench)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
Paket PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-43
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant —
Configuration Single N-Channel —
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 175 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Junction Temperature Max — 175 C
Power Dissipation Max (Pd) — [DATA_NEEDED: Pd max]
Gate Charge Total (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin