IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7N009ATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7N006ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IAUCN04S7N009ATMA1 | IAUCN04S7N006ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | 0.96 mΩ | — |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | 10 V | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-43 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -55C to +175C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| سطح MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 175 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| محدوده دمای کاری | — | -55 C to +175 C |
| Junction Temperature Max | — | 175 C |
| Power Dissipation Max (Pd) | — | [DATA_NEEDED: Pd max] |
| Gate Charge Total (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (compliant) |