IAUCN04S7N012ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N012ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC100N04S6L025ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 ✓ Aktif
Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7N012ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-7 (trench) OptiMOS 6 40V trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.2 mΩ 2.5 mOhm
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg total]
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] —
Paket PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Transistor Grade Automotive (AEC-Q101) —
Güç Tüketimi (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] —
Thermal Resistance RθJA [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes —
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity N-Channel N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 62 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin