IAUCN04S7N037GATMA1 vs IAUCN04S7L005ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N037GATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L005ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
Technology Trench MOSFET, N-Channel OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 91 A —
On-State Resistance RDS(on) typical 3.65 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc 57 W —
Paket SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) PG-TDSON-8-43 (TDSON-8)
Montaj Türü Surface Mount (IMS substrate attach compatible) Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] -55°C to +175°C (Tj)
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 430 A (Tj)
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) — [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C]
On-Resistance R_DS(on) max — 0.52 mΩ
Power Dissipation (P_D) — 179 W (T_C)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total Q_g in nC]
Pin Sayısı — 8
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin