IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUZ30N08S5N186ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7N024ATMA1 tarafından Infineon ve IAUZ30N08S5N186ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7N024ATMA1 IAUZ30N08S5N186ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Technology OptiMOS 7 trench OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench)
Paket PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (typical automotive) -55 °C to +175 °C (automotive)
Güç Tüketimi (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 41 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin