IAUCN08S7N034ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7N034ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L006ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7N034ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V 3.4 mΩ —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) 3.2 V (typ) —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) 1.27 nF —
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) 3.115 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) 23 pF —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 118 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Paket PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) PG-TDSON-8-43
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL 1 (unlimited floor life) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C
Technology — OptiMOS-7 trench
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
Pin Sayısı — 8
Packaging — Tape and Reel (ATMA1)
Polarity — Single N-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin