IAUCN08S7N034ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN08S7N034ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7L006ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN08S7N034ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 7 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V 3.4 mΩ —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) 3.2 V (typ) —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) 1.27 nF —
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) 3.115 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) 23 pF —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 118 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C —
پیکیج PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) PG-TDSON-8-43
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL 1 (unlimited floor life) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C
Technology — OptiMOS-7 trench
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
پن کی تعداد — 8
Packaging — Tape and Reel (ATMA1)
Polarity — Single N-Channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں