IAUCN10S7N021ATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S7N021ATMA1 tarafından Infineon ve IAUT300N08S5N012ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S7N021ATMA1 IAUT300N08S5N012ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] 1200 A (per datasheet, typical)
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™-5 80 V
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 300 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin