IAUCN10S7N021ATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN10S7N021ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUT300N08S5N012ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN10S7N021ATMA1 IAUT300N08S5N012ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] 1200 A (per datasheet, typical)
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™-5 80 V
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 300 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں