IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUT300N08S5N012ATMA2 tarafından Infineon ve IAUCN10S7N021ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUCN10S7N021ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™-5 80 V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 1200 A (per datasheet, typical) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) —
Paket PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin