IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUCN10S7N021ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUT300N08S5N012ATMA2 بذریعہ Infineon اور IAUCN10S7N021ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUCN10S7N021ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™-5 80 V —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 1200 A (per datasheet, typical) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (TJ) —
پیکیج PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں