IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ40N06S5L050ATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUZ40N06S5L050ATMA1 ISC011N03L5SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] —
Drain Current at T<sub>j</sub> 90 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V 5 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A 6.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 2.2 V at 29 µA —
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> 28.2 nC —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 71 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (super-junction N-channel) OptiMOS 5 trench MOSFET
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 100 A
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C — 96 W
İşletim Sıcaklığı — -55 C to +175 C (TJ)
Gate Drive — Logic-level compatible
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin