IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUZ40N06S5L050ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC011N03L5SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 - 60V 90A 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUZ40N06S5L050ATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] | — |
| Drain Current at T<sub>j</sub> | 90 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V | 5 mΩ | — |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A | 6.4 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | 2.2 V at 29 µA | — |
| Total Gate Charge Q<sub>G</sub> | 28.2 nC | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 71 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (super-junction N-channel) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |