IAUZ40N06S5N050ATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ40N06S5N050ATMA1 tarafından Infineon ve BSC034N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUZ40N06S5N050ATMA1 | BSC034N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-State Resistance (RDS(on), typ) | 5 mΩ at VGS=10 V | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.7 V | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 5 |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Paket | PG-TSDSON-8-33 (3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Thermal Resistance (RthJC, max) | [DATA_NEEDED: RthJC] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | -55C to +150C |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 74 W |