IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ40N10S5N130ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7N024ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) OptiMOS 7 trench
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Paket PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C (typical automotive)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Series — Automotive OptiMOS 7 (80 V)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Güç Tüketimi (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
RoHS Compliance — Compliant
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin