IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUCN10S7L290TATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ40N10S5N130ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S7L290TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUCN10S7L290TATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUZ40N10S5N130ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (super-junction trench) —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
RDS(on) max at VGS=10V 13 mΩ —
RDS(on) typical 10 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Tc) 68 W —
Paket PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q100 qualified
Lead-Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Product Family — OptiMOS™ 7
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 27 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 28.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 45 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
ESD Protection — HBM Class 1C (per Infineon datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin