IAUZN04S7L025ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZN04S7L025ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N019GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUZN04S7L025ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-7 OptiMOS 7
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 117 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.56 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 65 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket PG-TSDSON-8-44 (S3O8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Typical Applications Synchronous rectification, hot-swap, OR-ing, motor drive —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin