IAUZN04S7L025ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUZN04S7L025ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N019GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IAUZN04S7L025ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-7 OptiMOS 7
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 117 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.56 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 65 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז PG-TSDSON-8-44 (S3O8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Typical Applications Synchronous rectification, hot-swap, OR-ing, motor drive —
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
סטטוס RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר