IAUZN04S7L025ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUZN04S7L025ATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7N019GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUZN04S7L025ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-7 OptiMOS 7
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 117 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.56 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 65 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-44 (S3O8) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Typical Applications Synchronous rectification, hot-swap, OR-ing, motor drive —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت