IAUZN04S7L025ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZN04S7L025ATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N06NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUZN04S7L025ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-7 OptiMOS 5
Technology N-Channel Trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 117 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.56 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 65 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket PG-TSDSON-8-44 (S3O8) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Typical Applications Synchronous rectification, hot-swap, OR-ing, motor drive —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
RoHS Durumu — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin