IPB020N08N5ATMA1 vs IPB081N06L3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB020N08N5ATMA1 tarafından Infineon ve IPB081N06L3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 - 80V 2mOhm OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPB020N08N5ATMA1 - 80V 2mOhm OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPB020N08N5ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB020N08N5ATMA1 IPB081N06L3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 120 A 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) 480 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.0 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 300 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W] —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK-2) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated (EAS) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Configuration Single N-channel, 3-pin (2+Tab) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 8.1 mOhm typical
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C (junction)
Pin Sayısı — 3
Pin Configuration — Gate / Drain / Source (D2PAK standard)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin