IPB038N12N3GATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB038N12N3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC032N04LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB038N12N3GATMA1 | BSC032N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 120V | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 120 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 3.8 mOhm (typical) | — |
| Paket / Kas | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 5 trench |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction) | — |
| Standard Package Quantity | 1000 (Tape & Reel) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Part Series | — | OptiMOS 5 40V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 98 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.2 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 52 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Paket | — | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55°C to +175°C |
| Lead-Free | — | Yes |