IPB107N20N3GATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB107N20N3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC123N08NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB107N20N3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Drain, Source, Gate) + Tab —
RoHS Durumu Compliant Compliant with exemption
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET —
Part Family — OptiMOS 3
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single with built-in body diode
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) — 55 A
Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) — 11 A
Maximum Pulsed Drain Current — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum RDS(on) @ VGS=10 V — 12.3 mOhm
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (Tc) — 66 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin