IPB107N20N3GATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB107N20N3GATMA1 توسط Infineon و BSC123N08NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 - 80V 55A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC123N08NS3GATMA1 - 80V 55A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC123N08NS3GATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB107N20N3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] —
بسته‌بندی PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 (Drain, Source, Gate) + Tab —
وضعیت RoHS Compliant Compliant with exemption
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET —
Part Family — OptiMOS 3
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single with built-in body diode
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) — 55 A
Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) — 11 A
Maximum Pulsed Drain Current — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum RDS(on) @ VGS=10 V — 12.3 mOhm
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (Tc) — 66 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
دمای اتصال کاری — -55C to +150C
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت