IPB60R165CPATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB60R165CPATMA1 tarafından Infineon ve IPD60R145CFD7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB60R165CPATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology CoolMOS CP (superjunction, N-Channel) CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 21 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 192 W —
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) 165 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Operating Temperature Range (TJ) -55°C to +150°C —
Paket PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) TO-252AA (DPAK) surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
RoHS Durumu Compliant (Pb-free lead plating) Compliant
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC for target applications —
dv/dt Ruggedness Extreme dv/dt rated —
Polarity / Channel N-Channel —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Series — CoolMOS CFD7
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin