IPB60R165CPATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB60R165CPATMA1 מאת Infineon ו IPD60R145CFD7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPB60R165CPATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology CoolMOS CP (superjunction, N-Channel) CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 21 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 192 W —
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) 165 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Operating Temperature Range (TJ) -55°C to +150°C —
מארז PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) TO-252AA (DPAK) surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free lead plating) Compliant
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC for target applications —
dv/dt Ruggedness Extreme dv/dt rated —
Polarity / Channel N-Channel —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (junction)
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source)
Series — CoolMOS CFD7
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר